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IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 8.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMZA65R048M1HXKS

Fabr. N.º:

IMZA65R048M1HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IMZA65R048M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 240

Fecha prevista: 31/12/2026
Plazo de producción de fábrica:: 52

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,82 €	8,82 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	39 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	64 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.7 V
Qg (carga de compuertas):	33 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	12.6 ns
Serie:	IMZA65R048
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14.8 ns
Alias de parte #:	IMZA65R048M1H SP005398433
Peso unitario:	6 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

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