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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSS138NH6327

Fabr. N.º:

BSS138N H6327

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Hoja de datos:

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,202 €	2,02 €
	0,128 €	12,80 €
	0,081 €	40,50 €
	0,071 €	71,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,052 €	156,00 €
	0,045 €	270,00 €
	0,04 €	360,00 €
	0,036 €	864,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

SP000919330

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,29 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	230 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	360 mW
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	BSS138
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	6.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.3 ns
Alias de parte #:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Peso unitario:	8 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further 
information.

5-0222-5

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Hoja de datos

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
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