MOSFET para automoción BUKxxx de NXP

MOSFET para automoción BUKx de NXP

El MOSFET para automoción BUKx de NXP ofrece MOSFET de canal N de nivel lógico con prestaciones de la tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y homologado de acuerdo con la norma AEC Q101 para utilizarse en aplicaciones de automoción de alto rendimiento.

Características
  • Conforme con la norma AEC Q101
  • Resistente a avalanchas repetitivas
  • Adecuado para entornos de exigencia térmica a causa de su clasificación de 175 °C
Aplicaciones
  • Sistemas de automoción de 12 V
  • Control de motores, lámparas y solenoides
  • Aplicaciones micro híbridas de arranque y parada
  • Control de transmisión
  • Conmutación de potencia de rendimiento muy alto
Número de referenciaPaquete / CajaVds (tensión de separación drenador-fuente)Id: corriente de drenaje continuoRds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)Hoja de datos






Carga Primero Anterior Siguiente Último
 

  • NXP Semiconductors
  • Semiconductors|Discrete Semiconductors|Transistors (FETs, Bipolars & IGBTs)