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IPD50N08S4-13

Name: Infineon IPD50N08S4-13
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD50N08S4-13
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPD50N08S4-13

Fabr. N.º:

IPD50N08S4-13

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Hoja de datos:

IPD50N08S4-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,641 €	64,10 €
	0,525 €	262,50 €
	0,476 €	476,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,403 €	1.007,50 €
	0,389 €	1.945,00 €
	0,38 €	9.500,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IPD50N08S413ATMA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,47 €

Min:

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Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

IPD50N08S413ATMA1

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	30 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	72 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.6 ns
Serie:	XPD50N08
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	6.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Alias de parte #:	SP000988948 IPD50N08S413ATMA1
Peso unitario:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.