IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW75N65ET7XKSA1
IKW75N65ET7XKSA1

Fabr.:

Descripción:
IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 2

Existencias:
2
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
720
Fecha prevista: 21/05/2026
Plazo de producción de fábrica:
26
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,62 € 5,62 €
3,49 € 34,90 €
2,92 € 292,00 €
2,40 € 1.152,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
80 A
333 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
Marca: Infineon Technologies
Corriente de fuga puerta-emisor: 100 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: TRENCHSTOP
Alias de parte #: IKW75N65ET7 SP005348294
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.