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IKW20N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW20N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N65ET7XKSA1
Price: 3.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IKW20N65ET7XKSA1

Fabr. N.º:

IKW20N65ET7XKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Hoja de datos:

IKW20N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,03 €	3,03 €
	1,65 €	16,50 €
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	1,13 €	542,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.35 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	40 A
Pd (disipación de potencia):	136 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de parte #:	IKW20N65ET7 SP005348286

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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