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BSL606SN H6327

Name: Infineon BSL606SN H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL606SNH6327
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSL606SNH6327

Fabr. N.º:

BSL606SN H6327

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 60V 4.5A TSOP-6

Hoja de datos:

BSL606SN H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,722 €	0,72 €
	0,445 €	4,45 €
	0,292 €	29,20 €
	0,23 €	115,00 €
	0,202 €	202,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,171 €	513,00 €
	0,157 €	942,00 €
	0,145 €	1.305,00 €
	0,138 €	3.312,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

BSL606SNH6327XTSA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,54 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSOP-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	69 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Qg (carga de compuertas):	3.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.1 ns
Transconductancia delantera: mín.:	7.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	BSL606
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.8 ns
Alias de parte #:	SP000691164 BSL606SNH6327XTSA1
Peso unitario:	112,430 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
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