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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 3.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-6ED2230S12TXUMA1

Fabr. N.º:

6ED2230S12TXUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Controlador de puerta 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Hoja de datos:

6ED2230S12TXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,52 €	3,52 €
	2,67 €	26,70 €
	2,45 €	61,25 €
	2,22 €	222,00 €
	2,11 €	527,50 €
	2,04 €	1.020,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,97 €	1.970,00 €
	1,89 €	3.780,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSO-24
Número de controladores:	6 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	650 mA
Tensión del suministro - Mín:	13 V
Tensión del suministro - Máx:	20 V
Configuración:	Inverting
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Tiempo de caída:	20 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	Infineon SOI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retraso de apagado máximo:	600 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	600 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	175 uA
Pd (disipación de potencia):	1.3 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	900 ns
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Alias de parte #:	6ED2230S12T SP001656578
Peso unitario:	807,300 mg

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.