JDV2S41AFS,L3M
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Fabr.:
Descripción:
Diodos de capacidad variable (varactor) Variable capacitance diode for electronic tuning applications
En existencias: 36
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Existencias:
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Pedido:
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10.000Fecha prevista: 19/06/2026
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Plazo de producción de fábrica:
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14Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 1,51 € | 1,51 € | |
| 0,929 € | 9,29 € | |
| 0,615 € | 61,50 € | |
| 0,483 € | 241,50 € | |
| 0,413 € | 413,00 € | |
| 0,374 € | 935,00 € | |
| 0,332 € | 1.660,00 € | |
| 0,321 € | 3.210,00 € | |
| 0,313 € | 7.825,00 € |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
- TARIC:
- 8541100000
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
España
