OptiMOS 6 Power-Transistor MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR)Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
Hoja de datos
1.371En existencias
5.000Fecha prevista: 06/12/2023
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 285 A 1 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
Hoja de datos
10.000Fecha prevista: 03/01/2024
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel