NVMFS5C420NET1G

onsemi
863-NVMFS5C420NET1G
NVMFS5C420NET1G

Fabr.:

Descripción:
MOSFET T6 40V SG

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1.496

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
40 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,51 € 2,51 €
1,63 € 16,30 €
1,12 € 112,00 €
0,903 € 451,50 €
0,792 € 792,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
0,792 € 1.188,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
268 A
1.1 mOhms
20 V
4 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 20 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 19 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 22 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Estados Unidos
El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.