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NVMFS4C302NWFT1G

Name: onsemi NVMFS4C302NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C302NWFT1G
Price: 3.2 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

863-NVMFS4C302NWFT1G

Fabr. N.º:

NVMFS4C302NWFT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,20 €	3,20 €
	2,10 €	21,00 €
	1,47 €	147,00 €
	1,29 €	645,00 €
	1,25 €	1.250,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,20 €	1.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	241 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.15 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.3 V
Qg (carga de compuertas):	82 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	115 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	135 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	NVMFS4C302N
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Peso unitario:	187 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.