BSS138 RFG

Taiwan Semiconductor
821-BSS138
BSS138 RFG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET

Modelo ECAD:
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Pedido:
18.000
Fecha prevista: 29/07/2026
Plazo de producción de fábrica:
19
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,292 € 0,29 €
0,181 € 1,81 €
0,114 € 11,40 €
0,084 € 42,00 €
0,075 € 75,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,062 € 186,00 €
0,055 € 330,00 €
0,046 € 414,00 €
0,045 € 1.080,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
260 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1.6 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
357 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 48 ns
Transconductancia delantera: mín.: 0.8 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 11 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channe
Tiempo típico de retraso de apagado: 20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 3 ns
Alias de parte #: BSS138
Peso unitario: 8 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.