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STPSC4G065D

Name: STMicroelectronics STPSC4G065D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4G065D
Price: 1.97 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STPSC4G065D

Fabr. N.º:

STPSC4G065D

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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	1,97 €	1,97 €
	1,35 €	13,50 €
	1,09 €	109,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,903 €	903,00 €
	0,617 €	1.234,00 €
	0,601 €	3.005,00 €
	0,565 €	5.650,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.3 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	30 A
Ir - Corriente inversa:	4 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.