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STO67N60M6

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Mouser REF:

511-STO67N60M6

Fabr. N.º:

STO67N60M6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 34 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

STO67N60M6 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	34 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	54 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	72.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh M6
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	76 mg

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Hoja de datos

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-11-4 (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.