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SGT120R65AL

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Mouser REF:

511-SGT120R65AL

Fabr. N.º:

SGT120R65AL

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

SGT120R65AL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	120 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 155 C
Pd (disipación de potencia):	192 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.7 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo típico de retraso de apagado:	8.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.1 ns
Peso unitario:	76 mg

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Application Notes

Models

SGT120R65AL Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

SPICE Model (Cremallera)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor offers 15A maximum current capability combined with well-established packaging technology and a Kelvin source connection for optimum gate driving. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency. The SGT120R65AL is available n an industry-standard PowerFLAT 5×6 HV compact surface-mount package. Typical applications include PC adaptors, USB wall chargers, and wireless charging.