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HT8KE5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KE5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KE5HTB1
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-HT8KE5HTB1

Fabr. N.º:

HT8KE5HTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS

Ciclo de vida:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,52 €	1,52 €
	0,972 €	9,72 €
	0,648 €	64,80 €
	0,512 €	256,00 €
	0,468 €	468,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,435 €	1.305,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	210 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	3.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.7 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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