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APTGX600A170TDP3EG

Name: Microchip APTGX600A170TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX600A170TDP3EG
Price: 190.89 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser REF:

579-TGX600A170TDP3EG

Fabr. N.º:

APTGX600A170TDP3EG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

APTGX600A170TDP3EG Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 10

Fecha prevista: 25/01/2027
Plazo de producción de fábrica:: 66

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	190,89 €	190,89 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	IGBT Modules
Configuración:	Dual
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.7 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.7 V
Corriente continua del colector a 25 C:	600 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Pd (disipación de potencia):	2.272 kW
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Voltaje puerta-emisor máximo:	20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	Si

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.