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HMC1114PM5E

Name: Analog Devices Inc. HMC1114PM5E
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC1114PM5E
Price: 142.76 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

584-HMC1114PM5E

Fabr. N.º:

HMC1114PM5E

Fabr.:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF GaN Driver Ampllifier

Hoja de datos:

HMC1114PM5E Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 354

Fecha prevista: 22/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 11

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Precio total:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	142,76 €	142,76 €
	126,03 €	1.260,30 €
	120,26 €	3.006,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	2.7 GHz to 3.8 GHz
Voltaje operativo de suministro:	28 V
Corriente de suministro operativa:	150 mA
Ganancia:	35 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFCSP-32
Tecnología:	GaN
P1dB - Punto de compresión:	41.5 dBm
OIP3 - Interceptación de tercer pedido:	44 dBm
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	HMC1114
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Analog Devices
Pérdida de retorno de entrada:	25 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	24 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.7 GHz to 3.2 GHz

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Hoja de datos

HMC1114PM5E Hoja de datos (PDF)

PCN

RoHS Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: Taiwán
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm P_SAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Soluciones de RF

Analog Devices offers components that cover the complete high speed and RF signal chain. The portfolio enables design engineers to develop platform electronic test and measurement systems that have best-in-class performance and low cost of test and ownership across an ever increasing frequency range from DC to > 100GHz and beyond. As the preeminent supplier of data converters, RF and microwave ICs, Analog Devices provides more than 2,000 high performance products across the entire frequency spectrum.
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